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MGSF1N03LT1G

2017-06-12

一般信息

数据列表MGSF1N03LT1;
标准包装  3,000
包装  标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列-
其它名称MGSF1N03LT1GOS
MGSF1N03LT1GOS-ND
MGSF1N03LT1GOSTR

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)140pF @ 5V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)420mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)100 毫欧 @ 1.2A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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