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STW40N95K5

2017-06-13

一般信息

数据列表STW40N95K5;
标准包装  30
包装  管件
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列MDmesh™ K5
其它名称497-15447-5

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)950V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3300pF @ 100V
Vgs(最大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(最大值)450W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)130 毫欧 @ 19A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3


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