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STW26NM60N

2017-06-14

一般信息

数据列表STW26NM60N;
标准包装  30
包装  管件
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列MDmesh™ II
其它名称497-9066-5

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1800pF @ 50V
Vgs(最大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(最大值)140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)165 毫欧 @ 10A,10V
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3


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