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IRFB38N20DPBF

2017-06-15

一般信息

数据列表IRF(B,S,SL)38N20DPbF;
标准包装  50
包装  管件
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列HEXFET®
其它名称*IRFB38N20DPBF
SP001556010

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2900pF @ 25V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.8W(Ta),300W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)54 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3


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